Numerical treatment discussion and ab initio computational reinvestigation of physisorption of molecular hydrogen on graphene.
グラフェン上への水素分子の物理吸着を対象に、ab initio分子軌道法（剛体単量体超分子アプローチ）を用いた計算的再検討が行われた。コロネン類似モデル（C24H12）でグラフェン表面を近似し、基底関数重複誤差を対位法で補正した。aug-cc-pVTZ基底関数と二次Møller-Plesset摂動理論を組み合わせた非対称・局所モデリング戦略が有効とされ、物理吸着エネルギーは約0.06 eVと推定された。これは従来報告値より約25%低く、既存参照値には最大60%程度の誤差が含まれていた可能性が示された。
水素分子とグラフェン間の分散力支配の物理吸着エネルギーをMP2/aug-cc-pVTZ法で再評価し、約0.06 eVと算出。従来値の過大評価は数値処理の不備に起因する。
投与経路の特定が困難な研究です。水素摂取の経路として吸入が最も効率的とされますが、吸入応用にあたっては爆発リスクに注意が必要です（LFL 実証値 10%、高濃度機は非推奨）。
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