ベンゼンおよびグラフェン上への水素分子の物理吸着計算に適したDFT分散力補正法の探索

要約

ナノポーラスカーボンへの水素貯蔵シミュレーションでは、グラファイト様表面と水素分子の相互作用を正確に記述する必要がある。本研究では、CCSD(T)法を基準として、複数のDFT分散力補正法（B97D、RVV10、PBE+DCACPなど）をベンゼン上H2の相互作用エネルギー曲線の計算に適用し比較した。グラフェンについては実験データとの照合を行い、rev-vdW-DF2、PBE-XDM、PBE-D2、RVV10が実験値に近い吸着エネルギーを与えることを示した。

メカニズム

分散力が支配的なH2とグラファイト様表面の物理吸着を、CCSD(T)を基準としてDFT分散補正法で再現できるかを検証した。